[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，鳍部沿第一方向延伸，栅极结构沿第二方向延伸，第一方向和第二方向垂直；在栅极结构中待切断的位置处，刻蚀栅极结构，在栅极结构中形成隔断开口，隔断开口在第二方向上将栅极结构进行分割，且隔断开口露出的栅极结构的末端沿第二方向朝隔断开口内凸出。通过使隔断开口露出的栅极结构末端沿第二方向凸出，从而增大了隔断开口露出的栅极结构末端与被栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道的被控制能力，进而有利于提高半导体结构的工作性能。