[发明专利]基于纳米带的三维静态随机存取存储器

摘要

本申请题为“基于纳米带的三维静态随机存取存储器”。本文中描述包括堆叠在彼此上方以便实现高密度3D SRAM的半导体纳米带的IC装置。示例装置包括基于适合于形成NMOS晶体管的第一纳米带以及适合于形成PMOS晶体管的第二纳米带来构建的SRAM单元。两个纳米带可大体上在支撑结构上方的相同平面中延伸，在该支撑结构上提供存储器装置。SRAM单元包括布置成形成两个反相器结构的晶体管M1‑M4。第一反相器结构包括第一纳米带中的晶体管M1和第二纳米带中的晶体管M2，而第二反相器结构包括第一纳米带中的晶体管M3和第二纳米带中的晶体管M4。IC装置可包括在支撑结构上方堆叠在彼此上的多个纳米带层，在每个层中具有一个或多个此类SRAM单元，从而实现3D SRAM。