[发明专利]开放腔桥功率递送架构和工艺在审

专利信息
申请号: 202011528760.1 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN113451288A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: O·卡拉德;M·莫迪;S·阿格拉哈拉姆;N·德什潘德;D·劳拉内 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;姜冰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开的实施例包括具有开放腔桥的多管芯封装。在示例中,电子设备包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘以及开放腔。桥管芯在开放腔中,该桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、第一多个桥焊盘与第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘,以及导电迹线。第一管芯耦合到第一多个衬底焊盘和第一多个桥焊盘。第二管芯耦合到第二多个衬底焊盘和第二多个桥焊盘。功率递送导电线耦合到功率递送桥焊盘。
搜索关键词: 开放 功率 递送 架构 工艺
【主权项】:
暂无信息
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