[发明专利]缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法在审
| 申请号： | 202011533167.6 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113496909A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 卢廷铉;李民宰;车云镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 结构 半导体 管芯 中的 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
