[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 202011533294.6 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670382B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 沈午祺;张阳阳;张君逸;潘冠甫;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于外延层的上方且完全覆盖外延层的上表面。由此，本发明能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面在芯片表面沉积氮化硅，采用化学液去除氮化硅时残留的一些化学键对芯片焊线效果产生的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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