[发明专利]一种锰铜基阻尼合金本构关系分析方法、电子设备在审

专利信息
申请号: 202011534544.8 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112528439A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 毛保全;朱锐;王之千;李华;杨雨迎;韩小平;白向华;李元超;陈春林 申请(专利权)人: 中国人民解放军陆军装甲兵学院
主分类号: G06F30/17 分类号: G06F30/17;G06F30/20;G06F119/14
代理公司: 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 代理人: 李斌
地址: 100071 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种锰铜基阻尼合金本构关系分析方法、电子设备和计算机可读存储介质,所述分析方法通过构建广义分数阶Maxwell模型;根据权重系数简化所述广义分数阶Maxwell模型得到本构方程;根据所述广义分数阶Maxwell模型关系建立控制方程并确定所述控制方程的初始值和边界条件;对所述控制方程进行求解并结合常应变率下单轴循环拉伸试验拟合求得各参数及其关系,将所述参数代入所述本构方程得到加卸载循环拉伸曲线;能够能较好地解释阻尼合金的非线性本构关系,减少阻尼结构设计和优化产生偏差。
搜索关键词: 一种 锰铜基 阻尼 合金 关系 分析 方法 电子设备
【主权项】:
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