[发明专利]用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法、终端设备和存储介质在审
| 申请号： | 202011535772.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112735941A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李雪健;李志林;张继亮;顾林;王虎 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，包括：在衬底上形成氧化层；沉积氮化层，湿法刻蚀；生长多晶硅；刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；生长ONO膜。本发明是在ONO沉积前增加一道晶背刻蚀工艺，将前期生长在晶背的多晶硅刻蚀掉，从而使晶背膜厚与对比片和控片一致，使得位于对比片和控片背面的薄膜一致，进而使其各自下方的量产晶圆与其余量产晶圆受到相同的热辐射，从而使生长出来的ONO膜厚一致，避免由于ONO膜厚偏差造成的器件性能降低，提高量产晶圆的均一性，进而提高量产器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 量产 ono 控制 方法 终端设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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