[发明专利]一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用在审
| 申请号： | 202011538565.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112700926A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李长宏;夏春燕 | 申请（专利权）人： | 重庆新原港科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 400000 重庆市沙*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用，包括以下步骤：首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；将清洁后的导体进行干燥处理；将电子深度保护剂进行均匀加热处理；再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可，本发明通过将电子深度保护剂涂覆在导体的表面，通过电子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 深度 保护 剂涂覆 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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