[发明专利]薄膜装置在审
| 申请号： | 202011540862.5 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113053959A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 桑原祐也;竹知和重 | 申请（专利权）人： | 天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种薄膜装置，包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极和第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜和位于底栅电极与第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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