[发明专利]一种双向ESD保护电路有效
| 申请号： | 202011546107.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112448380B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡利志 | 申请（专利权）人： | 成都思瑞浦微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 641400 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种双向ESD保护电路，接设于芯片供电端的引脚PIN与接地端的引脚GND之间，由二极管D1、PMOS管MP1~MP5、电阻R1相接构成，其中PMOS管MP1、MP2的漏极、MP4的栅极与引脚PIN相连接，MP4的源极、漏极与MP2的栅极共连相接，PMOS管MP1的源极、MP3的漏极、MP5的栅极与二极管D1的阴极相接于节点Vminus，MP5的源极、漏极与MP3的栅极共连相接，二极管D1的阳极与引脚GND相接于地，且PMOS管MP2、MP3的共源极和所有PMOS管的衬底均相接于节点Vbody，电阻R1接入PMOS管MP1的栅极与节点Vbody之间。应用该ESD保护电路设计，在正向静电或负向静电产生时，能利用正向耐高压的二极管吸收正向静电，负向二极管分压限制；通过简单设计和较小的面积占用，提高了ESD保护的可靠性，有效避免芯片内部电路受损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
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