[发明专利]一种晶体生长装置在审
| 申请号： | 202011551595.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112760712A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈华荣;张洁;廖弘基;陈泽斌;李金榕 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨鹏 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种晶体生长装置，涉及半导体技术领域。晶体生长装置包括坩埚体、坩埚盖及隔板组件，坩埚盖与坩埚体连接并形成生长腔，隔板组件设置于生产腔内，并将生长腔分隔成原料腔及晶体腔，原料腔用于容置原料，晶体腔用于收集原料升华后形成的晶体，隔板组件上设置有连接槽，连接槽连通原料腔及晶体腔。在碳化硅升华的过程中，碳化硅原料碳化完细小杂质颗粒会随着碳化硅晶体的生长气氛沿着升华纹路向靠近晶体腔运动，设置在原料腔与晶体腔之间的隔板组件能够对杂质颗粒进行阻挡，阻止杂质颗粒进入到晶体腔内，避免杂质颗粒附着在碳化硅晶体表面，污染碳化硅晶体，从而提高了碳化硅晶体的纯度，保证碳化硅晶体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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