[发明专利]溅射装置以及晶圆镀膜方法在审
| 申请号： | 202011553419.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114672775A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 边大一;高建峰;丁云凌;刘卫兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/50;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 李晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溅射装置以及晶圆镀膜方法，该溅射装置包括反应单元，反应单元包括反应室、置物架和加热件，反应室内设有多种靶材，多种靶材沿反应室的周向间隔设置，置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，置物架能够在反应室内转动，以驱使承托位与多种靶材中的任一种对应设置，加热件的数量与承托位的数量一致，加热件与承托位对应设置。在一个反应室内设置多种靶材，以及通过置物架的转动实现晶圆与不同靶材对应设置，实现了晶圆在一个反应室内能够进行多工艺镀膜，提高了生产的效率，另外，减少了反应室的数量，使得溅射装置的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 以及 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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