[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示器件在审
| 申请号： | 202011554613.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635572A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡诗犇;龚政;庞超;龚岩芬;王建太;郭婵;潘章旭;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、半导体层、钝化层以及源极和漏极；其中，半导体层具有沟道区，且半导体层与钝化层的接触界面处还形成有高导层，源极和漏极与高导层连接，高导层与沟道区连接。相较于现有技术，本发明提供的薄膜晶体管，通过在钝化层和半导体层界面形成高导层，在钝化层的沉积过程中实现了氧化物半导体薄膜的导体化，无需采用复杂的源极和漏极结构，简化了氧化物半导体薄膜晶体管的制备工艺，从而能够有效提高生产效率，降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
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