[发明专利]具有绝缘体上应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202011557547.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851541A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | A·阿格拉瓦尔;A·S·默西;C·邦伯格;J·T·卡瓦列罗斯;K·甘古利;R·基奇;S·舒克赛;S·高斯;W·拉赫马迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构，以及制造在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括在衬底上方的绝缘体层。水平半导体纳米线的垂直布置体在绝缘体层上方。栅极叠层围绕水平半导体纳米线的垂直布置体的沟道区，并且栅极叠层在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构在水平半导体纳米线的垂直布置体的第一和第二端处并且在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构中的每一个具有压缩或扩展的晶格。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 应变 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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