[发明专利]一种半导体器件互连的方法在审
| 申请号： | 202011558182.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678331A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 金志勋;高建峰;白国斌;刘卫兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件互连的方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有存储单元、外围电路以及存储单元和外围电路之间的隔离介质区，存储单元上形成有多个接触塞，隔离介质区上形成有多个接触塞的残留物；在衬底上形成SiGeO复合氧化物牺牲层；光刻该SiGeO复合氧化物牺牲层，形成刻蚀窗口，刻蚀窗口对应隔离介质区，通过该刻蚀窗口去除残留物；去除剩余的SiGeO复合氧化物牺牲层；在衬底上形成金属布线，实现存储单元和外围电路的互连，进而采用该SiGeO复合氧化物牺牲层作为掩模层，在去除该掩膜层时，由于刻蚀速率比较快，不会影响到该掩膜层下方的结构，不会造成过刻蚀，保证半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 互连 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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