[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011564030.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112614896A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 庞超;龚政;胡诗犇;郭婵;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;邹胜晗;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，本发明提供的薄膜晶体管，通过采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制备有源层，而二维纳米片是一种在厚度方向上仅仅具有单个或者多个原子层，并且依靠层间的范德瓦尔斯力堆积而成的层状材料，其层间时较弱的范德华作用力，不用考虑晶格匹配的限制，故本发明减缓了生长材料间的晶格失配现象，提升了晶体质量。同时，本申请中采用具有p型半导体特性的多元硫化物，其无需再进行掺杂，工艺流程简单，不需要进行材料掺杂工艺，成本低廉，并且保留了材料自身固有性质，有助于提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省科学院半导体研究所，未经广东省科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011564030.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种注塑件冷却传送装置
- 下一篇：水平托举上料机
- 同类专利
- 专利分类
