[发明专利]晶体生长装置及晶体生长方法在审
| 申请号： | 202011566460.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112725890A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;赵青松;牛晓东;顾小英;胡智向 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/00;C30B15/12 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶体生长装置及晶体生长方法。晶体生长装置包括石墨坩埚、密封罩、第一坩埚、第一密封盖、第二坩埚和加热件。密封罩具有第一密封空间和第一通孔，石墨坩埚收容于第一密封空间，密封罩还围成朝上开口的收容槽；第一密封盖密封盖设于第一坩埚的上端并与第一坩埚形成第二密封空间，第一密封盖设有第二通孔和第三通孔，第二通孔供籽晶杆穿过；第一坩埚悬设于收容槽内且能够沿上下方向进出收容槽；第二坩埚设置于第二密封空间中，第二坩埚用于盛放原料；加热件套设在密封罩的外周。密封罩与第一坩埚彼此独立设置，避免了现有技术中的将坩埚设置熔炉内的设计，由此避免了炉体内的杂质进入用于生长晶体的第二坩埚中，提高了晶体纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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