[发明专利]一种集成多晶硅二极管的LED结构在审
| 申请号： | 202011575193.5 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112542481A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 孙山峰 | 申请（专利权）人： | 无锡新仕嘉半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋春荣 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成多晶硅二极管的LED结构，包括有源介质，所述有源介质的外层设有内绝缘层和设于所述内绝缘层外侧的外绝缘层，所述内绝缘层和所述外绝缘层之间设有多晶硅二极管。所述多晶硅二极管包括一P型多晶硅和一N型多晶硅，所述P型多晶硅和所述N型多晶硅同一层设置且相互之间连接。本发明采用多晶硅二极管作为保护器件，在芯片制造阶段，将多晶硅二极管集成在LED芯片上，减少封装阶段的物料和工艺流程，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 多晶 二极管 led 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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