[发明专利]氮化镓器件特性的调制方法和结构在审
| 申请号： | 202011575949.6 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112687569A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨铭;季启政;袁亚飞;高志良;梅高峰;张宇;冯娜;韩炎晖 | 申请（专利权）人： | 北京东方计量测试研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人： | 张振伟 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括：对氮化镓器件施加外界电场，外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件；通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景，通过调整外界电场的强度和方向，对氮化镓器件特性进行特定调制，以适应不同场景下氮化镓器件应用需求，促进氮化镓器件性能的更充分发挥，带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 器件 特性 调制 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
