[发明专利]提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片有效
| 申请号： | 202011577919.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112509628B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐明揆;吴彤彤 | 申请（专利权）人： | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/18 | 分类号： | G11C16/18 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片，通过采用紫外线存储单元作为Flash芯片的存储单元，紫外线存储单元阈值电压分布比传统Flash芯片存储单元阈值电压分布要窄一些，在紫外线存储单元上进行擦写操作之后阈值电压的分布也比传统Flash芯片存储单元阈值电压分布的一致性要好，以提高Flash芯片存储单元一致性；通过阈值电压检测电路检测与紫外线存储单元阈值电压成线性关系的电压Vref_op1，擦除电压调整电路根据电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元上擦除电压大小，根据不同紫外线存储单元的阈值电压自动调整擦除电压，擦除速度得到了提升，擦除的一致性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 flash 芯片 擦除 效率 电路 | ||
【主权项】：
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