[发明专利]一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置在审
| 申请号： | 202011581255.3 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112634971A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴莉莉 | 申请（专利权）人： | 合肥大唐存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 富爱民;李丹 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，所述方法包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。上述技术方案可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，通过该读取电压组重读未完全编程块的解码失败的页可以提高重读的效率，从而可以提高NAND闪存的读取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 nand 闪存 读取 电压 方法 装置 | ||
【主权项】：
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