[发明专利]一种SRAM纠错方法、系统及终端在审
申请号: | 202011589480.1 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN114694736A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 许霞;董业民;杨文伟 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C11/413 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 徐秋平 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种SRAM纠错方法、系统及终端,包括以下步骤:获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值;当所述ECC数值大于预设阈值时,提高所述SRAM的刷新频率;当所述ECC数值小于所述预设阈值时,降低所述SRAM的刷新频率。本发明的SRAM纠错方法、系统及终端通过自适应地调整SRAM的刷新频率来实现SRAM的有效纠错,极大地提升了SRAM的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 sram 纠错 方法 系统 终端 | ||
【主权项】:
暂无信息
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