[发明专利]一种阱离子注入方法在审
| 申请号： | 202011589507.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695093A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明在阱离子注入前采用等离子体处理掩膜，使注入窗口的侧壁粗糙、硬化并呈现倾斜的形状，从而使侧壁处注入的离子不易落入半导体衬底中，可减少散射离子进入半导体阱区的边缘，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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