[发明专利]一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011590100.6 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112724635B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 陈卫;杨杰;吴腾达;刁雪峰;申应军;高翔;刘荣亮;张康;李德燊;张丰;王伟 申请(专利权)人: 金旸(厦门)新材料科技有限公司
主分类号: C08L69/00 分类号: C08L69/00;C08L51/04;C08L51/00;C08L83/04;C08L27/22;C08K5/134;C08K5/526;C08K5/103
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;游学明
地址: 361000 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种无卤阻燃低介电耐候PC/AES合金材料及其制备方法,按重量百分比包括如下组分:共聚PC 48‑76%、AES 10‑20%、相容剂3‑5%、增韧剂5‑10%、有机硅无卤阻燃剂5‑15%、抗滴落剂0.3‑0.6%、抗氧剂0.4‑0.7%、光稳定剂0.2‑0.4%、润滑剂0.1‑0.3%;所述的共聚PC为硅氧烷共聚PC,在300℃/1.2kg条件下熔体流动速率为3‑15g/10min;所述的AES为丙烯腈‑三元乙丙橡胶‑苯乙烯共聚物,在220℃/10kg条件下熔体流动速率为10‑20g/10min。本发明所得材料可以进行挤出成型和注塑成型加工,可用于生产5G基站天线罩、车载毫米波雷达罩、手机后盖和智能家电外壳等零部件。
搜索关键词: 一种 阻燃 低介电耐候 pc aes 合金材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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