[发明专利]QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置在审
| 申请号： | 202011590828.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112687820A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 苏亮 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 宋朝政 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层的材料为n型金属氧化物，所述电子传输层上修饰有一层低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述电子传输层与所述阴极之间。本发明的低表面能薄膜覆盖在电子传输层上，低表面能薄膜可以减少氧分子和水分子的附着，避免了因电子传输层吸附氧分子而出现的正向老化现象。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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