[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011593301.1 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112701188A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0224;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/28;C23C14/26 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种近红外光电探测器及其制备方法，本发明一种近红外光电探测器，包括硫化银薄膜材料、n型InP基片和电极；n型InP基片上生长硫化银薄膜材料，n型InP基片和硫化银薄膜材料上蒸镀有电极。本发明制备的近红外光光电探测器，无需外延生长设备，具有成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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