[发明专利]等离子体刻蚀设备在审
| 申请号： | 202011596795.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695045A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵馗;王奕善;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置阻抗调节装置，调节射频回路的阻抗，从而使得当上下电极间距调整时能够相应地调节整个射频回路的阻抗，以维持射频回路的稳定性，获得期望的刻蚀效果。此外，阻抗调节装置可沿着接地环周向均匀分布，实现局部调节效果，解决刻蚀中出现的偏边问题。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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