[发明专利]一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法在审
| 申请号： | 202011597301.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112858359A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 鲍思前;雷小玲;徐帅;肖欢;徐耀文;杨庚蔚;叶传龙;甘晓龙 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 段姣姣 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
一种在取向硅钢中获得沿晶断口的方法：将取向硅钢样品加工成俄歇电子能谱仪标准试样；对标准试样进行表面清理；充氢：将标准试样所设定的预设断口处放入充氢装置的含硫脲溶液中，并使取向硅钢样品为阴极；将铂片置入并作为阳极；阴极充氢电流为1.25～1.35A，充氢电流密度在0.1～0.8A/m |
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| 搜索关键词： | 一种 取向 硅钢 获得 断口 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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