[发明专利]自加热效应参数的提取装置以及提取方法在审
| 申请号： | 202011599983.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112736076A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈静;葛浩;吕迎欢;谢甜甜;王青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种自加热效应参数的提取装置以及提取方法。所述装置包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。本发明利用环形振荡器进行自加热效应提取，测试误差小，且便于进行数值提取。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 效应 参数 提取 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
