[发明专利]一种超结MOSFET器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 202011602643.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112635549A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘秀梅;殷允超;刘锋 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 226200 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超结MOSFET器件结构及制造方法，在半导体基板第一主面上设置若干单元尺寸为W的器件元胞，在第一导电类型外延层内设置若干呈阵列排布的超结阵列，且超结阵列中第一N型柱n1、第二N型柱n2、第一P型柱p1、第二P型柱p2的宽度均相同为d，第一N型柱n1和第一P型柱p1的长度相同为L1，第二N型柱n2和第二P型柱p2的长度相同为L2，且L1L2，L1+L2＝W，2d≤W；本发明通过多次外延工艺方法，改变超结的结构，打破超结结构尺寸与表面MOS结构尺寸之间矛盾，在不增加现有工艺难度和制造成本的前提下，完成了超结结构单元的小尺寸化，不仅提高了器件耐压能力，而且降低了导通电阻，进而降低了超结器件的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏捷捷微电子股份有限公司，未经江苏捷捷微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011602643.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柚子果肉茶及其制备方法
- 下一篇：自动调节的呼吸器
- 同类专利
- 专利分类
