[发明专利]一种集成电路的制备方法有效
| 申请号： | 202011604170.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112614803B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 魏姣阳;杜雷;张永忠;叶伟;余仁 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种集成电路的制备方法，其至少包括以下步骤：提供一光罩，光罩的边缘区域处设有多个第一对位标记和多个第二对位标记；通过光罩在晶圆衬底的切割道区域内形成多个第一对位标记和多个第二对位标记图案；利用多个第一对位标记使光罩与所述机台对准；在晶圆衬底上形成多层薄膜层；在多层薄膜层上设置光罩，通过光罩在晶圆衬底的切割道区域内形成多个第一对位标记和多个第二对位标记图案；在多层薄膜层上形成第一电极层，第一电极层通过多个第二对位标记进行对准；在第一电极层上形成第二电极层，第二电极层通过多个第二对位标记进行对准。本发明可改善半导体制程中每一对位层均需设计一道光罩，造成成本资源浪费的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路股份有限公司，未经合肥晶合集成电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011604170.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
