[发明专利]一种红外热堆传感器及其制造方法在审
申请号: | 202011606307.8 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112614864A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 韩凤芹 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L35/32;H01L35/34;G01J5/20 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 刘亭 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种红外热堆传感器及其制造方法,其中,红外热堆传感器包括:承载基板;热电堆结构,所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方,所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体,所述热堆主体用于接收红外辐射;热敏电阻,设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中,所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本发明的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中,在承载基板上形成热电堆结构,热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上,可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成,满足小型化的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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