[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011607883.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695523A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;宋晰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、金属电极、源场板和金属互联层，半导体外延层位于衬底一侧，金属电极包括源极、栅极和漏极，且源极、栅极和漏极均位于半导体外延层远离衬底一侧，源场板位于栅极远离衬底的一侧，并与栅极间隔设置，其中，栅极和源场板之间形成介质空间，源场板和金属互联层一体设置。本发明使得金属互联层和源场板能够一体成型，相较于现有的分体结构，使得器件结构更加简单，并且简化了工艺步骤，节约了生产成本，提升了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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