[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质在审
| 申请号： | 202011611576.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113078060A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 八幡橘;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质，能够在成膜处理之前将槽中的残留成分排出并形成均匀特性的膜。为了解决上述课题而提供如下技术，该技术具有：搬入工序，将设有附着了残渣的槽的基板搬入至处理室；第一处理工序，对上述基板进行加热并使上述残渣从上述槽脱离；以及第二处理工序，在上述第一处理工序之后将上述基板的表面加热至比上述第一处理工序的温度高的温度，并从上述槽向上述处理室的处理空间排出上述残渣。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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