[发明专利]光电芯片和光电芯片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011612872.5 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112635610A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 邹颜;杨彦伟;张续朋 申请(专利权)人: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/18;H01L21/66
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 艾青;牛悦涵
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及芯片测试技术领域,公开了一种光电芯片和光电芯片的制备方法。光电芯片包括:第一区域、第二区域、以及第三区域;其中,第一区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的掩蔽膜;第二区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第一扩散掺杂层;第三区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第二扩散掺杂层;第一扩散掺杂层与第二扩散掺杂层彼此间隔分开。通过形成第一扩散掺杂层和第二扩散掺杂层,在第一扩散掺杂层上对光电芯片的性能和参数进行测试,避免由于探针的针尖直径过大或探针不能直接对第二扩散区进行探测,不便于检测光电芯片的性能;提高光电芯片的良品率。
搜索关键词: 光电 芯片 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯思杰技术(深圳)股份有限公司,未经芯思杰技术(深圳)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011612872.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top