[发明专利]一种晶圆加工方法在审
| 申请号： | 202011622377.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112820697A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 施心星 | 申请（专利权）人： | 苏州镭明激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人： | 范胜祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆加工方法，该方法包括以下步骤：对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，对晶圆的背面进行减薄处理，对晶圆的背面进行激光改质切割处理，对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理，依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片。通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中，对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
