[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置在审
| 申请号： | 202011624879.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750733A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 柯雨馨;梁兴芳;戴亮亮;许奕川 | 申请（专利权）人： | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 362300 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置。所述钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置包括箱式炉和支架，所述箱式炉的右侧为开口，所述支架固定安装在所述箱式炉的右侧，所述支架和所述箱式炉的开口相适配；密封罩，所述密封罩设置在所述支架内，所述密封罩的左侧为开口；密封板，所述密封板固定安装在所述密封罩的右侧内壁上，所述密封板和所述箱式炉的开口相适配；放置板，所述放置板固定安装在所述密封板的左侧，所述放置板的左侧延伸至所述密封罩外；容器，所述容器设置在所述放置板的顶部。本发明提供的钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置具有方便放置容器、能够保证容器密封性、使用较为安全的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 太阳能电池 氧化 致密 生产 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
