[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011626521.X | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112670378A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 任朝花;蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：提供一衬底；在第一生长温度下，对衬底进行高温处理；对衬底不进行降温处理，且在第一生长温度下在衬底上生长缓冲层；在第二生长温度下，在缓冲层远离衬底的一侧生长第一半导体层；在第三生长温度下，在第一半导体层远离缓冲层的一侧生长有源发光层；在有源发光层远离第一半导体层的一侧生长电子阻挡层；在电子阻挡层远离有源发光层的一侧生长第二半导体层。通过上述方式，缩短了发光二极管的制造周期，降低了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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