[发明专利]发光二极管芯片的激光切割方法及装置有效
| 申请号： | 202011628605.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112828451B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;周武;向光胜;马玮辰;徐可;尚修仲;刘璐珉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/042;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置，属于发光二极管切割技术领域。所述方法包括：获取激光聚焦后光斑的拍摄图像；基于所述光斑的拍摄图像，确定所述激光的能量输出是否稳定；当所述激光的能量输出稳定时，控制所述激光切割待切割的发光二极管芯片。本公开能够保证发光二极管芯片切割后正面、背面、侧面线条的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 激光 切割 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
