[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011628981.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750808A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王国军;曹立强;严阳阳 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L23/488;H01L23/538;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，第一芯片层位于第一互联结构层一侧表面，第一芯片层包括多个第一芯片，第一芯片层中的第一芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接；第二芯片层，第二芯片层位于第一互联结构层背向第一芯片层一侧表面，第二芯片层包括多个第二芯片，第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接。第一芯片层和第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层，通过第一互联结构层实现对面焊接。需要对接的芯片对面直接焊接，可有效减少线路传输损耗，相比于锡球焊接，芯片之间的第一互联结构层的厚度相对较薄，可以有效降低封装结构的整体厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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