[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011629012.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113178486A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡庆威;廖翊博;杨世海;陈豪育;黄禹轩;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的半导体器件包括：抗穿通(APT)区，位于衬底上方；多个沟道构件，位于抗穿通区上方；栅极结构，围绕多个沟道构件中的每一者；源极/漏极部件，邻近栅极结构；以及扩散延迟层。源极/漏极部件通过扩散延迟层与抗穿通区间隔开。源极/漏极部件通过扩散延迟层与多个沟道构件中的每一者间隔开。扩散延迟层是半导体材料。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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