[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011632302.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130655A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;白岳青 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件的制造方法中，在衬底上方提供半导体层，半导体层垂直地布置有位于相邻的半导体层之间的空间；形成围绕每个半导体层的界面层；在围绕每个半导体层的界面层上形成介电层；在介电层上形成第一导电层；去除第一导电层以暴露介电层；在暴露的介电层上形成第二导电层，使得相邻的半导体层之间的空间不被第二导电层完全填充；在第二导电层上形成第三导电层，使得相邻的半导体层之间的空间被第三导电层填充，其中：半导体层是半导体线或片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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