[发明专利]一种金属图案的制造方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202011632829.5 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112786754A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朱酉良;颜改革;蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种金属图案的制造方法以及半导体器件，该方法包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层，并进行图案化处理，以形成外露部分牺牲层的光刻胶图案；以光刻胶图案为掩膜对外露的牺牲层进行蚀刻，以形成外露部分衬底的牺牲层图案；以光刻胶图案和牺牲层图案为掩膜在光刻胶图案和外露的衬底上沉积金属层；去除光刻胶图案以及光刻胶图案上的金属层，并保留沉积于衬底上的金属层。通过上述方式，本申请的衬底表面不会有残留的光刻胶图案和有机物污染，且能够降低对光刻胶的要求，减少制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 图案 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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