[发明专利]标准单元制备方法、标准单元、集成电路及系统芯片有效
| 申请号： | 202011636419.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112836462B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种标准单元制备方法、标准单元、集成电路及系统芯片，所述方法包括提供第一标准单元，所述第一标准单元包括至少一个标准阈值电压器件，且所述标准阈值电压器件为采用全耗尽绝缘体上硅工艺制成；形成背压通孔，所述背压通孔沿第一标准单元的厚度方向向下延伸并贯穿氧化埋层；于所述背压通孔内形成导电插塞；向所述导电插塞的另一端施加正向偏压，使得所述第一标准单元的开关速度达到第二标准单元的开关速度，其中，所述第一标准单元的高度小于所述第二标准单元的高度。本申请实现了用户在利用新的标准单元库设计时，在同等体硅工艺单元库面积下，带来更大的驱动电流，有效满足了全耗尽绝缘体上硅工艺设计的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 单元 制备 方法 集成电路 系统 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司，未经广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011636419.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
