[发明专利]双重管结构流动池装置在审
| 申请号： | 202011639802.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113496913A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴贤国;朴成焕 | 申请（专利权）人： | 杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁小龙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于包括：包括第一流路形成部，连接于介质流入部，以供流动介质流入，并且所述第一流路形成部形成有第一流路部，以供流动介质流动；第二流路形成部，以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部，并且所述第二流路形成部连接于介质排出部，以使所述第二流路部的流动介质排出；以及气泡排出部，连接于所述第一流路形成部，以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。根据本发明，高温的流动介质在双重管结构流动池装置中流动，流动介质的波长被光吸收，所以在实际的半导体工序中使用的条件下测量流动介质的浓度，无需为了提高流动介质的检测灵敏度而对流动介质分多次进行化学处理。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 结构 流动 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司，未经杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011639802.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型鸭呼肠弧病毒卵黄抗体及其制备方法和应用
- 下一篇：燃料电池系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
