[实用新型]一种分流式CVD沉积室有效
申请号: | 202020006486.0 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN211713196U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/32 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种分流式CVD沉积室,涉及复合材料制备的技术领域,包括沉积筒和进气室,沉积筒内设有隔板,隔板将沉积筒分为上腔室和下腔室;上腔室包括第二固定筒,第二固定筒的底部与隔板之间连接;下腔室包括引流筒和第一固定筒,第一固定筒的另一端与隔板之间留有气体流通的第一通道,引流筒的另一端与下腔室底部之间留有气体流通的第二通道;进气室内设有进气管,沉积筒内设有与进气管连接的输气组件,输气组件包括上排气室、主气室、从气管和引流管,上排气室置于上腔室内,主气室和从气管设于下腔室内,引流管的底部和从气管设于主气室的上部,且均与主气室连通,引流管的顶部还与上排气室连通,上排气室和从气管上均设有排气孔。 | ||
搜索关键词: | 一种 分流 cvd 沉积 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的