[实用新型]一种双向可控硅低温触发装置有效

专利信息
申请号: 202020010110.7 申请日: 2020-01-03
公开(公告)号: CN211046898U 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 宁永香;崔建国;崔建峰;崔燚;李光序 申请(专利权)人: 山西工程技术学院;崔建国
主分类号: H03K17/72 分类号: H03K17/72
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 045000 *** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种双向可控硅低温触发装置的技术,该触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路;光电耦合器电路的输出连接共射极放大器电路,220V市电的P1端经降压电路降压、整流电路整流、滤波电路滤波、稳压二极管稳压为晶体管T1供电,晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的限流电路连接可控硅Triac的栅极,220V市电通过RL连接Triac的第一阳极A1,电容C1的正端、二极管D2的负端、Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端,构成一个双向可控硅低温触发装置。
搜索关键词: 一种 双向 可控硅 低温 触发 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西工程技术学院;崔建国,未经山西工程技术学院;崔建国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020010110.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top