[实用新型]一种CVD碳化硅进气系统有效

专利信息
申请号: 202020014529.X 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN211713197U 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 白秋云 申请(专利权)人: 成都超纯应用材料有限责任公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/32
代理公司: 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 代理人: 潘育敏
地址: 610200 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及CVD碳化硅生产技术领域,尤其是一种CVD碳化硅进气系统,包括反应腔和混气罐,所述混气罐一侧固定连通有三个供气管,所述混气罐另一侧固定连通有进气管,所述反应腔一侧设置有真空泵,所述反应腔上还固定连通有出气管,所述反应腔外侧壁上呈周向均匀地固定连接有若干个固定机构,若干个所述固定机构上固定连接有通气管道,且所述通气管道缠绕在所述反应腔外侧壁上,所述进气管与所述通气管道之间相互连通,所述通气管道内侧呈周向均匀地固定连通有三个进气口,且三个所述进气口均分别与所述反应腔相连通。该CVD碳化硅进气系统通过多孔进气的方式,从而能够有效地解决了工件表面cvd沉积厚度不均匀的问题,实用性强。
搜索关键词: 一种 cvd 碳化硅 系统
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