[实用新型]一种高压快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 202020049655.9 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN210956655U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张漫漫 | 申请（专利权）人： | 上海曾都电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/427;H01L23/373;H01L23/06 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 邓文武 |
| 地址： | 201609 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包裹在热熔胶内，所述热熔胶包裹在在封装外壳内，所述封装外壳由金属材料制成，所述封装外壳的内部设有散热组件，所述散热组件包括多个散热杆，多个散热杆呈辐射状固定在所述芯片本体上，所述散热杆的另一端抵触在所述封装外壳的内壁，所述散热杆与所述芯片本体的端部上包裹有绝缘膜，所述散热杆的内部中空且所述散热杆的内部填充有冰晶混合物。本实用新型可以充分散热，使芯片本体能够正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 恢复 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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