[实用新型]掩模板防静电环和掩模板有效
申请号: | 202020152404.3 | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN211603836U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 许喆 | 申请(专利权)人: | 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 杨帆 |
地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种掩模板防静电环和掩模板;具体的该掩模板防静电环包括:环状本体,所述环状本体包围掩模板的透光区域,所述环状本体的宽度介于0.4毫米至1毫米之间;所述环状本体包括第一边、第二边、第三边和第四边;所述第一边和所述第二边平行且间隔设置,所述第三边和所述第四边平行且间隔设置,所述第一边和所述第二边均沿第一方向延伸,所述第三边和所述第四边均沿第二方向延伸,所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边的宽度均相同。上述掩模板防静电环通过改进环状本体的宽度,将环状本体的宽度调整至0.4毫米至1毫米之间,不仅能够有效的起到静电防护作用,还有效的避免了在曝光时在硅片上形成鬼影,保证了硅片进行光刻的成品率。 | ||
搜索关键词: | 模板 静电 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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